NANDフラッシュメモリ特性

NANDフラッシュメモリには、以下の特性があります。
当社NANDフラッシュメモリドライバは、特性に対応した機構を実装することで、特性を意識せずに容易にNANDフラッシュメモリへのアクセスが可能となっております。

アクセス単位について

【特性】: NANDフラッシュメモリをアクセスする場合には、以下の手順が必要となります。
NANDフラッシュメモリは、ページ単位・ブロック単位でのアクセスが必要です。
NANDフラッシュメモリへの上書きは、出来ません。書き込む場合には、消去してから書き込む手順となります。
【ドライバ機能】: セクタ単位（512Byte）で、Read/Write/Eraseを行うAPIを提供します。

【特性】: NANDフラッシュメモリは、正常/不良ブロックが混在した状態で出荷されます。
出荷時の不良ブロックを、初期不良ブロックと呼び、出荷後に書き込み/消去を繰り返すことで不良になるブロックを、後発不良ブロックと呼びます。
メモリをアクセスする場合、初期／後発不良ブロックの制御が必要です。
【ドライバ機能】: 初期/後発不良ブロックを意識することなくアクセスが可能です。アクセス制御は、「NANDフラッシュメモリドライバ」で、対応します。また、特定ブロックへ消去を集中させない管理方法(ウェアレべリング)を採用しています。管理方法は複数用意しているので、製品仕様にあわせた選定が可能です。

【特性】

NANDフラッシュメモリは様々な要因でデータ破損が起きます。

【ドライバ機能】

NANDフラッシュメモリドライバで、これらデータ破損への状況に対し、これまでの対応ノウハウを入れた検知・回復の手法が盛り込まれております。

NANDフラッシュメモリドライバ