東芝情報システム株式会社

ドライバ

NANDフラッシュメモリドライバ 「ANAND」

NANDフラッシュメモリ特性

NANDフラッシュメモリには、以下の特性があります。
当社NANDフラッシュメモリドライバは、特性に対応した機構を実装することで、特性を意識せずに容易にNANDフラッシュメモリへのアクセスが可能となっております。

アクセス単位について

【特性】

NANDフラッシュメモリをアクセスする場合には、以下の手順が必要となります。
NANDフラッシュメモリは、ページ単位・ブロック単位でのアクセスが必要です。
NANDフラッシュメモリへの上書きは、出来ません。書き込む場合には、消去してから書き込む手順となります。

【ドライバ機能】

セクタ単位(512Byte)で、Read/Write/Eraseを行うAPIを提供します。

NAND構造について

【特性】

NANDフラッシュメモリは、正常/不良ブロックが混在した状態で出荷されます。
出荷時の不良ブロックを、初期不良ブロックと呼び、出荷後に書き込み/消去を繰り返すことで不良になるブロックを、後発不良ブロックと呼びます。
メモリをアクセスする場合、初期/後発不良ブロックの制御が必要です。

【ドライバ機能】

初期/後発不良ブロックを意識することなくアクセスが可能です。アクセス制御は、「NANDフラッシュメモリドライバ」で、対応します。また、特定ブロックへ消去を集中させない管理方法(ウェアレべリング)を採用しています。管理方法は複数用意しているので、製品仕様にあわせた選定が可能です。

データ破損について

【特性】

NANDフラッシュメモリは様々な要因でデータ破損が起きます。

Read Disturb

ブロック内でReadしたページ以外のページがダメージを受け、ビット化けが発生します。

Data Retention

書き込みしたブロックへのアクセスがないと電荷が抜け、ビット化けが発生します。

電源断

NANDフラッシュメモリへのアクセス中に電源断が発生すると、NANDフラッシュメモリへの状態が不安定になります。(様々な症状が発生します)

【ドライバ機能】

NANDフラッシュメモリドライバで、これらデータ破損への状況に対し、これまでの対応ノウハウを入れた検知・回復の手法が盛り込まれております。

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