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フラッシュメモリライブラリ

組込み用フラッシュメモリ
東芝情報システム製

フラッシュメモリは、内部の基本回路構成によってNOR型とNAND型という2つの種類があります。NOR型は、ランダムアクセス能力にすぐれており、1byte単位での読み書きが可能です。NAND型フラッシュメモリは、不揮発性メモリの中では、ビット単価が低く、大容量のデータ保存に最適です。また、ページ単位(512byte)データ書込、ブロック単位の消去により高速処理が可能で、拡張性にも優れています。ただし、その特性上、物理構造が特殊であり、専用ソフトウェアによって制御する必要があります。例えば、NAND型フラッシュメモリには、ブロックの書換え回数に上限がある、Readを繰返すことによってビット化けが発生する場合があり、これらのリスクを回避するため当社製品を利用することでより安全に、データが保存可能となります。


フラッシュメモリライブラリ


NOR型フラッシュメモリライブラリ

NOR型フラッシュメモリを、ストレージデバイスとして使用するための専用ライブラリ

※当社のFilDosや、他のファイルシステムと組合わせて使用することが可能です。

特徴

  • 障害発生時(データ更新中のシステムダウン等)における再起動時に、ファイルの整合性を保証
  • ビット化け対策として、エラー訂正符号処理を提供

NOR型フラッシュメモリファイルシステム

NOR型フラッシュメモリ向けの専用ファイルシステム電池駆動、モバイル機能を考えた、省リソース、電源異常に対応

特徴

  • POSIX/ANSI準拠(一部例外あり)のAPIを提供
  • 障害発生時(データ更新中のシステムダウン等)おける再起動時に、ファイルの整合性を保証
  • ガベージコレクションを自動実施(手動実行可能)
  • コンフィグレーションによるエラー訂正機能の有効設定が可能

NAND型フラッシュメモリライブラリ

2値NAND型フラッシュメモリを、ストレージデバイスとして使用するための専用ライブラリ ※当社のFilDosや、他のファイルシステムと組合わせて使用することが可能です。

特徴

  • セクタ(512byte)単位のRead/Writeを行うAPIを提供
  • 障害発生時(セクタ書込み中の電源断等)における再起動時、高速復旧可能なデータ構造を採用
  • エラー訂正にECCを使用
    ※ECCはハードウェア対応のほか、ソフトウェアによるECC符号の演算処理も提供可能
  • Read時のビットエラー数が閾値を超えた場合、巻込み退避処理の実行をコンパイル時に静的に選択可能
  • データ分散保存処理により、デバイス寿命に配慮(ウェアレべリング)
    (各ブロックへのWrite/Erase回数が偏らないように設計してあります)
  • 消費RAMサイズのコンフィグレーション可能
  • 不良ブロック対応

※記載の会社名や商品名は、それぞれ各社・各団体の商標または登録商標です。
※掲載文中では、商標TM、登録商標(R)マークは原則として明記していません。
※本ページに記載された内容および製品の仕様は、予告なく変更することがあります。

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